電源噪聲
定義
電源噪聲是電磁干擾的一種,其傳導噪聲的頻譜大致為10kHz~30MHz,最高可達150MHz。電源噪聲,特別是瞬態噪聲干擾,其上升速度快、持續時間短、電壓振幅度高、隨機性強,對微機和數字電路易產生嚴重干擾。
發生原因
1、直流穩壓電源芯片本身的輸出并不是恒定的,會有一定的波紋。這是由穩壓芯片自身決定的,一旦選好了穩壓電源芯片,對這部分噪聲我們只能接受,無法控制。
2、直流穩壓電源無法實時響應負載對于電流需求的快速變化。穩壓電源芯片通過感知其輸出電壓的變化,調整其輸出電流,從而把輸出電壓調整回額定輸出值。多數常用的穩壓源調整電壓的時間在毫秒到微秒量級。因此,對于負載電流變化頻率在直流到幾百 KHz 之間時,穩壓源可以很好的做出調整,保持輸出電壓的穩定。當負載瞬態電流變化頻率超出這一范圍時,穩壓源的電壓輸出會出現跌落,從而產生電源噪聲。微處理器的內核及外設的時鐘頻率已經大于了 600 兆赫茲,內部晶體管電平轉換時間下降到 800 皮秒以下。穩壓電源芯片不可能滿足直流到 1GHz范圍內都能快速響應負載電流的變化這一苛刻要求。
3、負載瞬態電流在電源路徑阻抗和地路徑阻抗上產生的壓降。PCB 板上任何電氣路徑不可避免的會存在阻抗,不論是完整的電源平面還是電源引線。對于多層板,通常提供一個完整的電源平面和地平面,穩壓電源輸出首先接入電源平面,供電電流流經電源平面,到達負載電源引腳。地路徑和電源路徑類似,只不過電流路徑變成了地平面。完整平面的阻抗很低,但確實存在。如果不使用平面而使用引線,那么路徑上的阻抗會更高。另外,引腳及焊盤本身也會有寄生電感存在,瞬態電流流經此路徑必然產生壓降,因此負載芯片電源引腳處的電壓會隨著瞬態電流的變化而波動,這就是阻抗產生的電源噪聲。在電源路徑表現為負載芯片電源引腳處的電壓軌道塌陷, 在地路徑表現為負載芯片地引腳處的電位和參考地電位不同 (注意, 這和地彈不同, 地彈是指芯片內部參考地電位相對于板級參考地電位的跳變)
分類
熱噪聲,隨機但有通式
在絕對零度以上的任何溫度,導體或半導體中的載流子(電子和空穴)會發生擾動,這就是熱噪聲(亦稱約翰遜噪聲或白噪聲)的來源。熱噪聲功率與溫度成比例。它具有隨機性,因而不隨頻率而變化。熱噪聲是一個物理過程,可以通過下式計算:
Vn = √(4kTRB)
k表示波爾茲曼常數(1.38?23 J/K)
T表示絕對溫度(K = 273°C)
R表示電阻(單位Ω)
B表示觀察到噪聲的帶寬(單位Hz,電阻上測得的均方根電壓也是進行測量的帶寬的函數)
1/f 噪聲
1/f 噪聲來源于半導體的表面缺陷,聲功率與器件的偏置電流成正比,并且與頻率成反比,這一點與熱噪聲不同。即使頻率非常低,該反比特性也成立,然而,當頻率高于數kHz時,關系曲線幾乎是平坦的。1/f 噪聲也稱為粉紅噪聲,因為其權重在頻譜的低端相對較高。
1/f 噪聲主要取決于器件幾何形狀、器件類型和半導體材料,因此,要創建其數學模型極其困難,通常使用各種情況的經驗測試來表征和預測1/f噪聲。
一般而言,具有埋入結的器件,如雙極性晶體管和JFET等,其1/f 噪聲往往低于MOSFET等表面器件。
散粒噪聲
散粒噪聲發生在有勢壘的地方,例如PN結中。半導體器件中的電流具有量子特性,電流不是連續的。當電荷載子、空穴和電子跨過勢壘時,就會產生散粒噪聲。像熱噪聲一樣,散粒噪聲也是隨機的,不隨頻率而變化。
低頻噪聲
爆米花噪聲是一種低頻噪聲,似乎與離子污染有關。爆米花噪聲表現為電路的偏置電流或輸出電壓突然發生偏移,這種偏移持續的時間很短,然后偏置電流或輸出電壓又突然返回其原始狀態。這種偏移是隨機的,但似乎與偏置電流成正比,與頻率的平方成反比(1/f2)。
爆裂噪聲
爆裂噪聲和爆米花噪聲相同,也是一種低頻噪聲,似乎與離子污染有關。但由于現代半導體工藝技術的潔凈度非常高,爆裂噪聲幾乎已經被消除,不再是器件噪聲的一個主要因素。
使用示波器的測量方法
1、用示波器的交流耦合檔位;
2、帶寬限制成20MHz;
3、把示波器探頭的地夾線去掉,用探針和裸露的地靠接電源的輸出,觀察輸出的波形。
手上在用一個隔離的ZY0505BS-1W,隨便測了下,如下圖。
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